MT29F2G16ABBEAH4:E TR
制造厂商：Micron（美光）
类别封装：存储器，产品封装：63-VFBGA
技术参数：IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
（专注销售Micron电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
（您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
参数详情：
制造商产品型号：MT29F2G16ABBEAH4:E TR制造商：Micron Technology Inc.（美光半导体）描述：IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA产品系列：存储器包装：卷带（TR）,剪切带（CT）系列：-零件状态：停产存储器类型：非易失存储器格式：闪存技术：闪存 - NAND存储容量：2Gb（128M x 16）存储器接口：并联时钟频率：-写周期时间-字，页：-访问时间：-电压-供电：1.7V ~ 1.95V工作温度：0°C ~ 70°C（TA）安装类型：表面贴装型产品封装：63-VFBGAMT29F2G16ABBEAH4:E TR的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
