MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR供应商
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR
制造厂商：Micron（美光）
类别封装：存储器，产品封装：556-WFBGA
技术参数：IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 556WFBGA
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参数详情：
制造商产品型号：MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR制造商：Micron Technology Inc.（美光半导体）描述：IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 556WFBGA产品系列：存储器包装：卷带（TR）系列：-零件状态：有源存储器类型：易失存储器格式：DRAM技术：SDRAM - Mobile LPDDR4存储容量：32Gb（512M x 64）存储器接口：-时钟频率：2133MHz写周期时间-字，页：-访问时间：-电压-供电：1.1V工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）安装类型：表面贴装型产品封装：556-WFBGAMT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
