NAND04GR3B2DN6E
制造厂商：Micron（美光）
类别封装：存储器，产品封装：48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
技术参数：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP
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参数详情：
制造商产品型号：NAND04GR3B2DN6E制造商：Micron Technology Inc.（美光半导体）描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP产品系列：存储器包装：托盘系列：-零件状态：停产存储器类型：非易失存储器格式：闪存技术：闪存 - NAND存储容量：4Gb（512M x 8）存储器接口：并联时钟频率：-写周期时间-字，页：25ns访问时间：25ns电压-供电：1.7V ~ 1.95V工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）安装类型：表面贴装型产品封装：48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）NAND04GR3B2DN6E的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
